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研究員提出通過減少固定光子逃逸錐內芯片/封裝材料界面處的菲涅耳反射損失(Fresnel Reflection Loss)，來提高LED芯片內部產生的光在LED芯片/封裝材料界面的傳輸，同時規(guī)定對制程產生最小的變化。

　　研究表明，峰值發(fā)射波長條件下，在典型的LED芯片/封裝材料界面的光傳輸可增高達99%，而在正入射情況下則僅為84%。此方案能夠提高整個LED發(fā)射光譜范圍內光子逃逸錐里的光傳輸，這不僅可以降低能耗，還能通過減少芯片內部不必要反射產生的發(fā)熱來提高LED的壽命。

　　研究員認為，此方案有望輕易使用并應用于現有的半導體設備技術中，還能夠獨立使用，或結合其他方法，用于減少LED臨界角損失。